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产品中心
PRODUCTS
三硒化二锗靶材（Ge2Se3）
| 三硒化二锗靶材（Ge2Se3）基本信息 | |
| 分子式 | Ge2Se3 |
| 纯度 | 99.99% |
| CAS号 | 无独立 CAS 号 |
| 摩尔质量 | 419.11 g/mol |
| 密度 | 4.3～4.5 g/cm³ |
| 熔点 | 约 650~680 ℃，高温易分解、硒挥发 |
| 沸点 | 无固定沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水；可被浓硝酸腐蚀，遇强酸会分解释放硒化物；不溶于稀酸、碱溶液 |
三硒化二锗靶材（Ge2Se3）产品概况
三硒化二锗，灰黑色脆性硫系半导体材料，亚稳相硫族化合物。 制备工艺：高纯 Ge、Se 单质真空封管熔炼合成合金，破碎后热压 / SPS 烧结成型。质地脆，加工、搬运极易崩边掉渣；硒元素高温易挥发，溅射时衬底温度不可过高，容易造成薄膜缺 Se、成分偏移。 适用于磁控溅射、PLD 脉冲激光沉积；靶材需真空 / 氩气密封保存，避免空气长期氧化。
| 三硒化二锗靶材（Ge2Se3）产品应用 |
薄膜应用：
1. 硫系相变存储薄膜（PCRAM）：相变存储器、光电相变薄膜，光开关。
2. 红外光学薄膜：红外透过硫系玻璃薄膜，红外光学器件、红外光纤薄膜。
3. 光电探测器、光伏薄膜：窄带隙半导体薄膜，光电传感、光吸收层科研。
4. 非线性光学、超材料：非线性红外光学薄膜，光子晶体研究。
5. 基础科研：硫系半导体、二维硒化物、非晶薄膜异质结学术研究。
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