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硒化锡靶材（SnSe）

硒化锡靶材（SnSe）
  • 硒化锡靶材（SnSe）
硒化锡靶材（SnSe）基本信息
分子式SnSe
纯度99.9%、99.99、99.999%
CAS号1315‑06‑6
摩尔质量197.67 g/mol
密度6.18 g/cm³
熔点861 ℃，高温真空下 Se 易挥发流失，造成成分偏移
沸点无常压沸点，高温真空条件下升华分解
溶解性（水）不溶于水；可溶于王水、热浓硝酸；不溶于稀酸、常规有机溶剂

硒化锡靶材（SnSe）产品概况

硒化锡靶材为灰黑色正交晶系层状硬脆半导体靶材，以高纯锡、高纯硒为原料，真空封管化合合成 SnSe 化合物，再经热压 / 热等静压烧结、精密机加工制成溅射靶材。 材料脆性大，加工、搬运易崩边；烧结、溅射过程硒元素极易挥发，靶材生产对烧结温度、气氛管控严格，保障 Sn‑Se 化学计量比；常温干燥环境相对稳定，高温有氧环境会氧化生成氧化锡、二氧化硒杂质，需要真空密封储存。

硒化锡靶材（SnSe）产品应用

薄膜应用：
1. 热电薄膜（核心）：SnSe 是高性能 p 型热电材料，磁控溅射制备 SnSe 基热电薄膜，用于微型温差发电芯片、废热回收器件、微型制冷器件，热电优值 ZT 很高。
2. 二维层状材料科研：制备正交相 SnSe 二维薄膜，用于层状半导体、铁电、各向异性输运特性的实验室研究。
3. 红外光电器件：窄带隙半导体，制备红外光敏薄膜、红外光电探测器，适配红外波段光电器件研发。
4. 薄膜光伏、柔性电子科研：环保无重金属，用于薄膜太阳能电池、柔性光电器件实验室研发，异质结薄膜制备。
5. 储能材料研究：锂电、钠电池负极薄膜材料的 PVD 科研开发。
6. 半导体器件研发：p 型半导体薄膜，用于场效应晶体管、非易失存储器件的科研实验。

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