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二磷化钽靶材（TaP2)

二磷化钽靶材（TaP2)
  • 二磷化钽靶材（TaP2)
二磷化钽靶材（TaP2)基本信息
分子式TaP2
纯度99.95%
CAS号12037‑64‑8
摩尔质量244.84 g/mol
密度7.26 g/cm³
熔点1660 ℃（分解温度，高温磷挥发，无稳定熔融）
沸点无实测沸点，高温发生磷组分热分解挥发
溶解性（水）不溶于水、稀酸、稀碱；可被热浓强酸、熔融强碱腐蚀分解

二磷化钽靶材（TaP2)产品概况

二磷化钽薄膜性能（带数据描述，磁控溅射）

1. 结构热学性能

晶体结构单斜晶系；室温沉积多为非晶薄膜；衬底加热 450‑550 ℃得到多晶TaP2；晶粒尺寸 18‑45 nm；常用膜厚 10‑200 nm；薄膜热稳定性＜500 ℃稳定；＞550 ℃磷挥发发生物相分解；热膨胀系数6.8‑7.6X10 -6.K-1。

2. 电学性能（金属性导电） 

溅射多晶薄膜室温电阻率(80‑220Ω. cm；载流子浓度(10 -21 ‑10-22 cm-3；载流子迁移率8‑35cm2/(V s)；薄膜厚度降低，晶界散射增大，电阻率小幅上升。

3. 磁输运性能

顺磁特性；室温磁阻 50‑150%；低温下表现出各向异性磁阻效应，无超大磁阻；不具备魏尔半金属特征（区别于 TaP）。

4. 力学性能（纳米压痕）

纳米硬度 5.5‑7.5 GPa；弹性模量 140‑170 GPa；残余应力‑80~‑320 MPa（压应力）；膜厚＞150 nm 易产生应力微裂纹。

5. 光学性能

金属型高反射，无可见光带隙；550 nm 折射率 n=3.1‑3.6，消光系数 k=3.0‑3.7；紫外‑可见光波段强吸收。

6. 化学稳定性

大气表面生成薄Ta2O5钝化层；耐弱酸弱碱；＞500 ℃磷快速挥发失效；不耐热浓强酸、熔融碱。


二磷化钽靶材（TaP2)产品应用

二磷化钽薄膜（TaP2)性能优异，其应用广泛：
1. 微电子领域：半导体后端低阻导电薄膜、扩散阻挡层，用于新型器件电极制备。
2. 能源催化：电解水析氢、全解水催化薄膜电极，高稳定性电催化材料。
3. 耐磨防护：硬质导电防护涂层，用于高温工况零部件表面改性。
4. 红外光电器件：红外导电电极、红外探测器件导电层。
5. 科研实验：过渡金属磷化物异质结、电化学、凝聚态物理科研样品。

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