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产品中心
PRODUCTS
磷化钽靶材（TaP)
| 磷化钽靶材（TaP)基本信息 | |
| 分子式 | TaP |
| 纯度 | 99.95% |
| CAS号 | 12037‑63‑7 |
| 摩尔质量 | 211.92 g/mol |
| 密度 | 8.42 g/cm³ |
| 熔点 | 1580‑1630 ℃（高温磷挥发分解，无稳定熔融态） |
| 沸点 | 无实测沸点，高温发生磷组分热分解挥发 |
| 溶解性（水） | 不溶于水、稀酸、稀碱；可被热浓强酸、熔融强碱腐蚀分解 |
磷化钽靶材（TaP)产品概况
科研级射频磁控溅射靶材，魏尔拓扑半金属材料；高温磷易挥发，无标准常压沸点；薄膜为射频磁控溅射制备， 采用真空热压工艺制作而成。
一磷化钽薄膜性能（磁控溅射）。
| 磷化钽靶材（TaP)产品应用 |
薄膜应用
1. 先进微电子互连
2. 拓扑自旋电子器件
3. 磁阻传感器件
4. 能源催化
5. 非线性光电器件
6. 基础科研
备注：TaP 属于科研开发阶段靶材，尚未大规模工业化量产；制备与溅射全过程需管控磷高温挥发问题，注意区分 TaP（一磷化钽）与 TaP₂（二磷化钽）。
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