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氮化钨靶材（W₂N）

氮化钨靶材（W₂N）
  • 氮化钨靶材（W₂N）
氮化钨靶材（W₂N）基本信息
分子式W₂N
纯度99.9%
CAS号12033-72-6
摩尔质量197.85 g/mol
密度15.5~17.2 g/cm³
熔点无单一熔点
沸点无固定沸点
溶解性（水）不溶于水、稀酸；可被氢氟酸、浓热硝酸、王水腐蚀；常温耐碱

氮化钨靶材（W₂N）产品概况

氮化钨W₂N靶材为磁控溅射 PVD 氮化物陶瓷靶，采用高纯钨粉氮化合成、混粉、成型、真空热压 / 热等静压烧结制备，可加工圆靶、方靶，可绑定铜背板。 材料具备金属导电性，支持 DC 直流溅射，也可 RF 射频溅射；硬度高、热稳定性良好，是半导体经典扩散阻挡层材料；靶材脆性较大，溅射过程一般通入微量氮气，补偿薄膜氮损失，防止薄膜脱氮生成金属钨。

区分：WTi（钨钛靶）是金属合金；氮化钨 W2N是氮化物陶瓷，侧重阻挡层，二者用途不一样。


氮化钨靶材（W₂N）产品应用

薄膜应用：
1. 半导体芯片（核心）：Cu 互连扩散阻挡层，3D NAND、存储器件接触阻挡层，阻止铜向硅基底扩散。
2. 硬质耐磨防护涂层：刀具、模具超硬耐磨薄膜，提升高温耐磨性。
3. 燃料电池：双极板导电防护涂层，降低接触电阻、耐腐蚀。
4. 传感器：气体传感器催化层、MEMS 器件电极薄膜。
5. 红外功能薄膜：红外低发射率隐身涂层。
6. 科研实验：磁控溅射、PLD 制备氮化物薄膜，微电子、催化薄膜研究。

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